— 縮寫表 · 共 16 個字 —
CDCritical Dimension
字母分開念:C-D· /siː diː/
關鍵尺寸 — 線寬或 contact 直徑等最敏感的量測值。黃光對這個錙銖必較。
“The CD on this lot is shifted 1.5 nm from target.
DICDDevelop Inspect Critical Dimension
字母分開念:D-I-C-D· /diː aɪ siː diː/
顯影後量測的 CD,對應到最後 etch 完的 FICD。
“DICD looks fine; let's see if FICD also passes.
FICDFinal Inspect Critical Dimension
字母分開念:F-I-C-D· /ɛf aɪ siː diː/
蝕刻後最終的 CD,客戶實際拿到的尺寸就是這個。
“FICD drift suggests an etch bias problem, not photo.
DOFDepth of Focus
字母分開念:D-O-F· /diː oʊ ɛf/
焦深 — 製程窗口的關鍵指標。DOF 不夠 wafer 邊緣就會走樣。
“We're running out of DOF margin on the deeper layers.
BARCBottom Anti-Reflective Coating
念整個字「巴克」· /bɑːrk/
底部抗反射層 — 在光阻下方,壓住反射造成的 standing wave。
“Try a thicker BARC to kill the swing curve.
TARCTop Anti-Reflective Coating
念整個字「踏克」· /tɑːrk/
頂部抗反射層 — 蓋在光阻上方,薄薄一層。較少用。
“TARC adds CD uniformity but costs an extra coater step.
PEBPost Exposure Bake
字母分開念:P-E-B· /piː iː biː/
曝後烘烤 — 觸發化學放大型光阻反應,溫度差 0.3°C 都會影響 CD。
“PEB hotplate failed temp uniformity check — hold the lot.
OPCOptical Proximity Correction
字母分開念:O-P-C· /oʊ piː siː/
光學鄰近修正 — 把光罩圖形預先「變形」以補償繞射誤差。
“The OPC model needs re-calibration after the new resist swap.
NANumerical Aperture
字母分開念:N-A· /ɛn eɪ/
數值孔徑 — 機台解析度的天花板。NA 越大越能畫小,但 DOF 變差。
“High-NA EUV can resolve 8 nm pitch but DOF is brutal.
DUVDeep Ultraviolet
字母分開念:D-U-V· /diː juː viː/
深紫外光 — 含 KrF (248nm) 和 ArF (193nm),目前主流製程。
“We're still using DUV immersion for non-critical layers.
EUVExtreme Ultraviolet
字母分開念:E-U-V· /iː juː viː/
極紫外光 (13.5 nm) — 7nm 以下節點主力。ASML 一家獨佔。
“EUV pellicle inspection caught a particle — pull the reticle.
LWRLine Width Roughness
字母分開念:L-W-R· /ɛl dʌbəl juː ɑːr/
線寬粗糙度 — 線條兩邊起伏的振幅,影響 device 性能。
“LWR on EUV lines is 3.2 nm; spec is 2.5.
LERLine Edge Roughness
字母分開念:L-E-R· /ɛl iː ɑːr/
線邊緣粗糙度 — 跟 LWR 相關,看的是單邊。
“Reduce LER by tuning developer temperature, not exposure.
OverlayOverlay (Layer-to-Layer Alignment Error)
念整個字「歐佛累」· /ˈoʊvərleɪ/
層間對位誤差 — 上下兩層的位置偏差,nm 級。
“Overlay excursion on tool LITHO-07 — escalate to PIE.
ReticleReticle (Photomask)
念整個字「瑞踢扣」· /ˈrɛtɪkəl/
光罩 — 一片要價數十萬美元(EUV 上百萬)。是黃光最珍貴的耗材。
“Pellicle on reticle M-1837 has a defect — swap to backup.
ScannerScanner (Lithography Tool)
念整個字「史坎勒」· /ˈskænər/
掃描式曝光機 — 取代古早 stepper,一次掃過整片 die。ASML / Nikon / Canon。
“Yield drop correlates with scanner chuck temperature drift.