— 縮寫表 · 共 15 個字 —
RIEReactive Ion Etch
字母分開念:R-I-E· /ɑːr aɪ iː/
反應離子蝕刻 — 主流的乾式蝕刻方式,化學反應 + 物理轟擊並用。
“Lot held due to RIE chamber A pressure excursion.
ICPInductively Coupled Plasma
字母分開念:I-C-P· /aɪ siː piː/
感應耦合電漿 — 高密度電漿,適合高 aspect ratio 結構。
“We switched the deep contact etch from CCP to ICP.
CCPCapacitively Coupled Plasma
字母分開念:C-C-P· /siː siː piː/
電容耦合電漿 — 較低密度,但能量可控,常用於精細 CD 的步驟。
“CCP gives better CD control; ICP gives better throughput.
DRIEDeep Reactive Ion Etch
字母分開念:D-R-I-E,有時候念「德萊」· /dɹaɪ/
深層蝕刻 — Bosch 製程是經典代表,蝕刻深溝結構(MEMS / TSV)。
“DRIE sidewall scalloping is below 30 nm — within spec.
EPDEnd Point Detection
字母分開念:E-P-D· /iː piː diː/
終點偵測 — 監測光譜變化判斷蝕刻是否到達指定層。沒 EPD 會 over-etch。
“EPD signal flat-lined — manual stop at 60 s.
EREtch Rate
字母分開念:E-R· /iː ɑːr/
蝕刻速率(nm/min)— 製程穩定的核心指標。
“ER drifted from 220 to 195 nm/min after the chamber clean.
SelectivityEtch Selectivity
念整個字「賽列克踢密提」· /sɪˌlɛkˈtɪvɪti/
蝕刻選擇比 — 想蝕的材料 vs 不想蝕的材料的速率比,越大越好。
“We need higher selectivity to silicon nitride for this step.
ARDEAspect Ratio Dependent Etching
字母分開念:A-R-D-E· /eɪ ɑːr diː iː/
深寬比相依蝕刻 — 越深的洞蝕得越慢的物理現象。設計者的痛點。
“ARDE causes 8% CD spread between dense and iso patterns.
MicroloadingMicroloading Effect
念整個字「麥克囉丁」· /ˈmaɪkroʊˌloʊdɪŋ/
微負載效應 — 圖形密度高的區域 ER 會跟低密度區不同。
“Tighten the open area uniformity to reduce microloading.
ProfileEtch Profile (Sidewall Angle)
念整個字「普羅費歐」· /ˈproʊfaɪl/
蝕刻側壁形貌 — 想要垂直 90°,實際常常 88° 或 92°。
“Profile is leaning outward by 1.5° — bias the bottom power up.
FootingFooting (Bottom Profile Defect)
念整個字「夫廷」· /ˈfʊtɪŋ/
蝕刻底部殘留外擴的「腳」— STI / poly etch 常見問題。
“Footing on the gate poly hurts device leakage — re-tune the over-etch.
NotchingNotching (Sidewall Defect)
念整個字「諾欠」· /ˈnɒtʃɪŋ/
側壁凹槽缺陷 — charging 引起的離子偏轉導致。SOI 製程尤其嚴重。
“Notching appears at the SOI layer interface — add a protect step.
PolymerPolymer (Sidewall Passivation)
念整個字「波利默」· /ˈpɒlɪmər/
側壁保護膜 — CFx 物質,蝕刻過程沉積出來護住側壁。
“Too much polymer caused etch stop in the 45-nm trench.
CD BiasCD Bias (Photo-to-Etch CD Difference)
字母分開念:C-D Bias· /siː diː ˈbaɪəs/
黃光出來的 CD 跟蝕刻完的 CD 差值 — 製程 tuning 的目標之一。
“CD bias target is +2 nm; we're seeing +5 — tune the over-etch.
AshingAshing (Photoresist Strip)
念整個字「啊辛」· /ˈæʃɪŋ/
灰化 — 用氧電漿把光阻燒掉。蝕刻完最後一步。
“Ashing residue on the wafer caused yield drop on bin 7.